| 型号： | EMZ1DXV6T5 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS NPN GP/PNP DUAL SOT-563 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| EMZ1DXV6T5 PDF |  |
| 产品变化通告 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 120 @ 1mA，6V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 频率 - 转换 | 180MHz，140MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) |